2025年12月17日 星期三
| 專利名稱 | 一種全銻基薄膜太陽電池及其制備方法 | ||
|---|---|---|---|
| 申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào) | CN202011527799.1 | 專利權(quán)人（第一權(quán)利人） | 東北電力大學(xué) |
| 申請(qǐng)日 | 2020-12-22 | 授權(quán)日 | 2022-05-24 |
| 專利類別 | 授權(quán)發(fā)明 | 戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類 | 雙五星 |
| 技術(shù)主題 | 薄膜|金屬電極|電池|光化學(xué)|電子傳輸層|空穴傳輸層|物理學(xué)|薄膜太陽能電池|材料科學(xué)|導(dǎo)電 | ||
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 最終產(chǎn)品制造|光伏發(fā)電|半導(dǎo)體器件 | ||
| 意向價(jià)格 | 具體面議 | ||
| 專利概述 | 一種全銻基薄膜太陽電池及其制備方法，包括：前電極、頂電池、背電極，其特點(diǎn)是，前電極為透明導(dǎo)電玻璃層，頂電池由依次層疊設(shè)置的Sb2O3薄膜作為第一電子傳輸層、Sb2S3薄膜作為第一吸光層、CuSbS2薄膜作為第一空穴傳輸層組成；還包括在頂電池與背電極之間依次層疊設(shè)置中間電池、底電池，中間電池由依次層疊設(shè)置的Sb2O3薄膜作為第二電子傳輸層、Sb2(S,Se)3薄膜作為第二吸光層、CuSbS2薄膜作為第二空穴傳輸層組成；底電池由依次層疊設(shè)置的Sb2O3薄膜作為第三電子傳輸層、Sb2Se3薄膜作為第三吸光層、CuSbS2薄膜作為第三空穴傳輸層；背電極為金屬電極層。其結(jié)構(gòu)簡單，成本低且性能穩(wěn)定。 | ||
| 圖片資料 |
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| 合作方式 | 擬許可 | ||
| 聯(lián)系人 | 戚梅宇 | 聯(lián)系電話 | 13074363281 |
