2025年12月10日 星期三
| 專利名稱 | 硒化鎘量子點(diǎn)和納米多孔碳復(fù)合材料及其制備方法 | ||
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| 申請?zhí)?專利號 | CN201710202017.9 | 專利權(quán)人（第一權(quán)利人） | 長春工業(yè)大學(xué) |
| 申請日 | 2017-03-30 | 授權(quán)日 | 2019-03-29 |
| 專利類別 | 授權(quán)發(fā)明 | 戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類 | 材料化工 |
| 技術(shù)主題 | 晶體|配位聚合物|分散度|晶粒|納米多孔碳|硒化鎘|大毛孔|納米|量子|鎘|非活性氣體 | ||
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 半導(dǎo)體器件 | ||
| 意向價格 | 具體面議 | ||
| 專利概述 | 本發(fā)明提供一種硒化鎘量子點(diǎn)和納米多孔碳復(fù)合材料及其制備方法。所述硒化鎘量子點(diǎn)和納米多孔碳復(fù)合材料由硒化鎘量子點(diǎn)和納米多孔碳復(fù)合形成，所述硒化鎘量子點(diǎn)原位生長于所述納米多孔碳的表面，所述納米多孔碳通過在惰性氣體保護(hù)下煅燒沸石咪唑酯類配位聚合物得到。本發(fā)明的納米多孔碳具有比表面積大、孔道均勻、孔道尺寸大的優(yōu)點(diǎn)，在與硒化鎘量子點(diǎn)形成復(fù)合材料時可提高硒化鎘量子點(diǎn)的分散度，控制硒化鎘量子點(diǎn)的晶粒尺寸，減少小尺寸的硒化鎘量子點(diǎn)的生成，使復(fù)合材料的光催化效率以及壽命得到明顯改善。 | ||
| 圖片資料 |
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| 合作方式 | 擬轉(zhuǎn)讓 | ||
| 聯(lián)系人 | 戚梅宇 | 聯(lián)系電話 | 13074363281 |
